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6、2，防雷區(qū)和防雷擊電磁脈沖6。2，1,防雷區(qū)的劃分應(yīng)符合下列規(guī)定 1.本區(qū)內(nèi)的各物體都可能遭到直接雷擊并導(dǎo)走全部雷電流.以及本區(qū)內(nèi)的雷擊電磁場強度沒有衰減時.應(yīng)劃分為LPZ0A區(qū)。2、本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到大于所選滾球半徑對應(yīng)的雷電流直接雷擊，以及本區(qū)內(nèi)的雷擊電磁場強度仍沒有衰減時 應(yīng)劃分為LPZ0B區(qū) 3，本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到直接雷擊,且由于在界面處的分流，流經(jīng)各導(dǎo)體的電涌電流比LPZ0B區(qū)內(nèi)的更小，以及本區(qū)內(nèi)的雷擊電磁場強度可能衰減,衰減程度取決于屏蔽措施時,應(yīng)劃分為LPZ1區(qū),4，需要進一步減小流入的電涌電流和雷擊電磁場強度時、增設(shè)的后續(xù)防雷區(qū)應(yīng)劃分為LPZ2 n后續(xù)防雷區(qū)，6 2.2 安裝磁場屏蔽后續(xù)防雷區(qū)。安裝協(xié)調(diào)配合好的多組電涌保護器。宜按需要保護的設(shè)備的數(shù)量 類型和耐壓水平及其所要求的磁場環(huán)境選擇 圖6,2,2,a、采用大空間屏蔽和協(xié)調(diào)配合好的電涌保護器保護.注，設(shè)備得到良好的防導(dǎo)入電涌的保護 U2大大小于U0和I2大大小于I0 以及H2大大小于H0防輻射磁場的保護 b、采用LPZ1的大空間屏蔽和進戶處安裝電涌保護器的保護.注.設(shè)備得到防導(dǎo)入電涌的保護。U1小于U0和I1小于I0.以及H1小于H0防輻射磁場的保護.c，采用內(nèi)部線路屏蔽和在進入LPZ1處安裝電涌保護器的保護.注.設(shè)備得到防線路導(dǎo)入電涌的保護。U2小于U0和I2小于I0，以及H2小于H0防輻射磁場的保護.d。僅采用協(xié)調(diào)配合好的電涌保護器保護、注。設(shè)備得到防線路導(dǎo)入電涌的保護、U2大大小于U0和I2大大小于I0。但不需要防H0輻射磁場的保護,6。2，3、在兩個防雷區(qū)的界面上宜將所有通過界面的金屬物做等電位連接。當線路能承受所發(fā)生的電涌電壓時，電涌保護器可安裝在被保護設(shè)備處。而線路的金屬保護層或屏蔽層宜首先于界面處做一次等電位連接 注，LPZ0A與LPZ0B區(qū)之間無實物界面、