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6。2,防雷區(qū)和防雷擊電磁脈沖6,2.1.將需要保護(hù)的空間劃分為不同的防雷區(qū),以規(guī)定各部分空間不同的雷擊脈沖磁場(chǎng)強(qiáng)度的嚴(yán)重程度和指明各區(qū)交界處的等電位連接點(diǎn)的位置、各區(qū)以在其交界處的電磁環(huán)境有明顯改變作為劃分不同防雷區(qū)的特征、通常.防雷區(qū)的數(shù)越高 其電磁場(chǎng)強(qiáng)度越小 一建筑物內(nèi)電磁場(chǎng)會(huì)受到如窗戶這樣的洞的影響和金屬導(dǎo)體.如等電位連接帶。電纜屏蔽層 管子，上電流的影響以及電纜路徑的影響,將需要保護(hù)的空間劃分成不同防雷區(qū)的一般原則見(jiàn)圖15。6、2、2 圖6，2.2引自IEC、62305。4,2010第14頁(yè),第15頁(yè)的圖2.雷擊對(duì)建筑物內(nèi)電氣系統(tǒng)和電子系統(tǒng)的有害影響簡(jiǎn)介于下、侵害源。雷電流及其相應(yīng)磁場(chǎng)是原始侵害源.磁場(chǎng)的波形與雷電流的相同、涉及保護(hù)時(shí)。雷擊電場(chǎng)的影響通常是次要的、原始侵害源是LEMP，根據(jù)防雷建筑物的不同類別，第一類，第二類、第三類 按本規(guī)范附錄F的表F.0，1 1,表F.0.1。2和表F 0.1 3選取Io，I0正極性首次沖擊電流波10.350μs.I0分別為，200kA、150kA 100kA 負(fù)極性首次沖擊電流波1.200μs。I0分別為 100kA，75kA.50kA，負(fù)極性首次以后 后續(xù).的沖擊電流波0,25。100μs、I0分別為、50kA 37.5kA 25kA。H0沖擊電磁波10，350μs。1。200μs和0 25，100μs 從I0導(dǎo)出。被害物 安裝在建筑物內(nèi)或其上的建筑物內(nèi)系統(tǒng)。僅具有有限的耐電涌和耐磁場(chǎng)水平.當(dāng)其遭受首次雷擊作用及其以后、后續(xù)。電流的磁場(chǎng)作用下時(shí).可能被損害或錯(cuò)誤地運(yùn)行,安裝在建筑物外并處在暴露位置的系統(tǒng)，由于遭遇的電涌可能達(dá)到直接雷擊的全電流和沒(méi)有衰減的磁場(chǎng).可能遇到的風(fēng)險(xiǎn)較大 安裝在建筑物內(nèi)的系統(tǒng)，由于遭遇的磁場(chǎng)是剩下的衰減磁場(chǎng)和內(nèi)部的電涌是傳導(dǎo)和感應(yīng)而產(chǎn)生的、以及外部電涌是經(jīng)引入線路傳導(dǎo)而來(lái)的?？赡苡龅降娘L(fēng)險(xiǎn)較小、被害物，設(shè)備,的耐受水平,1,220，380V設(shè)備的耐沖擊電壓水平Uw見(jiàn)本規(guī)范表6.4。4.它引自,低壓電氣裝置、第4，44部分.安全防護(hù)。電壓騷擾和電磁騷擾防護(hù),IEC,60364，4,44.2007第18頁(yè)的表44、B,2,電信裝置的耐受水平參見(jiàn)ITU。T建議標(biāo)準(zhǔn),電信中心電信設(shè)備耐過(guò)電壓過(guò)電流的能力.K.20 2003,Resistibility of。telecommunication equipment，installed、in、a，telecommunications center。to。overvoltages and overcurrents。和 用戶電信設(shè)備耐過(guò)電壓過(guò)電流的能力。K,21、2003，Resistibility、of。telecommunication equipment。installed,in customer premises to,overvoltages、and,overcurrents 3，一般通用設(shè)備的耐受水平在其產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)有規(guī)定或可做以下試驗(yàn)，1，防傳導(dǎo)電涌采用IEC.61000，4，5。2005。Ed.2、0、Electromagnetic。compatibility EMC,Part,4.5，Test。and、Measurement。techniques。Surge。immunity test、電磁兼容。EMC.第4,5部分,試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù).電涌 沖擊、抗擾度試驗(yàn)、標(biāo)準(zhǔn)、耐電壓水平的試驗(yàn)Uoc為0。5、1，2.4kV、沖擊電壓波形1，2 50μs、和耐電流水平的試驗(yàn)Isc為0，25 0,5，1、2kA。沖擊電流波形8 20μs、有些設(shè)備為了滿足上述標(biāo)準(zhǔn)的要求?？赡茉谠O(shè)備內(nèi)裝有SPD.它們可能影響協(xié)調(diào)配合的要求 上述標(biāo)準(zhǔn)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)為,電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌.沖擊?？箶_度試驗(yàn).GB、T，17626 5，2008,等效IEC、61000.4 5,2005，2.防磁場(chǎng)，強(qiáng)度、采用IEC,61000、4、9 2001，Ed、1，1、Electromagnetic。compatibility.EMC。Part,4，9。Test，and、Measurement.techniques Pulse.magnetic.field immunity、test，電磁兼容.EMC，第4.9部分、試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)。脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn),標(biāo)準(zhǔn)。用以下磁場(chǎng)強(qiáng)度做試驗(yàn)。100、300.1000A,m,8 20μs波形,上述標(biāo)準(zhǔn)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)為。電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)，脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn) GB T、17626，8、1998.等效IEC。61000、4，9。1993,并采用IEC.61000，4 10、2001、Ed，1。1。Electromagnetic，compatibility、EMC,Part,4.10 Test。and.measurement.techniques，Damped。oscillatory，magnetic、field，immunity，test、電磁兼容.EMC,第4。10部分.試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)。標(biāo)準(zhǔn) 用以下磁場(chǎng)強(qiáng)度做試驗(yàn)，10 30 100A、m、在1MHz頻率條件下、上述標(biāo)準(zhǔn)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)為、電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)。阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)、GB.T、17626 9、1998 等效IEC、61000。4.10.1993 IEC、61000，4。9和IEC、61000，4。10規(guī)定試驗(yàn)的波形是阻尼振蕩波,可用于確定設(shè)備耐受由首次正極性雷擊和后續(xù)雷擊磁場(chǎng)波頭陡度所產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度。