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- 電磁波暗室工程技術(shù)規(guī)范 GB 50826-2012
- 1 總 則
- 2 術(shù) 語
- 3 基本規(guī)定
- 4 電磁波暗室分類
- 5 總體設(shè)計
- 6 工藝設(shè)計
- 7 吸波及電磁屏蔽工程設(shè)計
- 7.1 吸波工程設(shè)計
- 7.2 電磁屏蔽工程設(shè)計
- 8 建筑與結(jié)構(gòu)設(shè)計
- 9 公用工程設(shè)計
- 10 電磁屏蔽和吸波工程施工
- 11 工程驗收
- 附錄A 單站雷達截面比較法
- 本規(guī)范用詞說明
- 引用標準名錄
- 條文說明
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7.吸波及電磁屏蔽工程設(shè)計7、1、吸波工程設(shè)計7，1、1、暗室吸波工程設(shè)計應根據(jù)電磁波暗室總體設(shè)計和工藝設(shè)計所確立的方案與要求 選擇和布局吸波材料。7、1,2。吸波材料的選擇和布局應符合下列規(guī)定 1.暗室主反射區(qū)范圍設(shè)定宜大于二階菲涅爾半徑覆蓋的區(qū)域,2,在合理的暗室尺寸和正確的材料布局情況下.主反射區(qū)域采用的吸波材料吸收性能宜高于靜區(qū)特性要求值3dB，6dB.7、1。3.受強功率照射的區(qū)域應選擇耐高功率照射的吸波材料。7、1。4。吸波材料的氧指數(shù)不得小于28 7,1.5 在行人通道位置。吸波材料的荷載不應低于1,5kN，m2。7、1。6 除1，3,3，1類暗室外、暗室靜區(qū)靜度Jtx可按下列公式計算，式中 Jw，外界環(huán)境泄漏到靜區(qū)的電磁噪聲和暗室內(nèi)直射到靜區(qū)的測量信號，兩者同頻段的功率密度值之比的對數(shù)值、dB。Js，暗室內(nèi)設(shè)備等所散射或反射到靜區(qū)的測量電磁波和直射到靜區(qū)的測量電磁波,兩者的功率密度值之比的對數(shù)值，dB,N，暗室內(nèi)測試電磁波信號形成一次反射到靜區(qū)路徑的數(shù)量。Ji,暗室內(nèi)第i條反射到靜區(qū)的測試電磁波信號和直射到靜區(qū)的測量電磁波 兩者功率密度值之比的對數(shù)值.dB，Jxb 電磁波吸波材料在主反射區(qū)域的實際反射損耗.dB。Jfx、標準天線發(fā)射電磁波至反射點方向相對于主輻射方向的增益差、dB。Jli，到達靜區(qū)的第i條反射路徑電磁波相對于直射電磁波的路徑損耗.dB,Lfi、第i條反射電磁波信號的反射路徑長度、m Lz 測量信號電磁波的直射路徑長度。m,