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2。術(shù).語(yǔ)、本規(guī)范的術(shù)語(yǔ)及定義僅限于本規(guī)范所涉及的工程范圍,規(guī)范中未定義的術(shù)語(yǔ)、可優(yōu)先依據(jù)現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn) 電工術(shù)語(yǔ)。電磁兼容、GB,T、4365選用。2.0,1，由暗室作為主要房間.與其他用房,測(cè)量系統(tǒng).配套設(shè)施等所組成的電磁波暗室、是受試設(shè)備電磁性能測(cè)試的實(shí)驗(yàn)室 暗室的功能和技術(shù)水平?jīng)Q定了電磁波暗室的能力,暗室內(nèi)部指定的區(qū)域.即受試設(shè)備性能測(cè)量應(yīng)處于的區(qū)域。稱.靜區(qū),或、測(cè)試區(qū).在此區(qū)域內(nèi)的電磁環(huán)境、包括所要求電磁信號(hào)和限定的電磁背景雜波、取決于采用的測(cè)量系統(tǒng)技術(shù)以及受試設(shè)備測(cè)試項(xiàng)目?jī)?nèi)容對(duì)測(cè)試結(jié)果不確定度的要求 能夠?qū)崿F(xiàn)其要求的電磁環(huán)境則主要是依賴于暗室的型體和尺寸，采用的吸波技術(shù)。或有屏蔽要求的屏蔽技術(shù),測(cè)量系統(tǒng)技術(shù)和內(nèi)部場(chǎng)地布局等、2，0.2 所有電磁波暗室的功能性房間均應(yīng)包括測(cè)控間、此外。還可根據(jù)暗室的類別。測(cè)量系統(tǒng)和試驗(yàn)項(xiàng)目?jī)?nèi)容不同.包括不同的設(shè)備間、以及受試設(shè)備進(jìn)行不同性能試驗(yàn)的試驗(yàn)間。設(shè)備間一般包括饋源間 功放間 負(fù)載間,信號(hào)間等。2,0。4 暗室電磁背景雜波主要是暗室內(nèi)部各種界面對(duì)電磁波信號(hào)所產(chǎn)生反射和散射的相干雜散信號(hào) 以及外界泄漏到暗室內(nèi)的電磁噪聲。這些雜波存在會(huì)對(duì)暗室內(nèi)試驗(yàn)測(cè)量的結(jié)果造成不利影響,2 0 5。暗室靜區(qū)由位置 范圍,靜區(qū)內(nèi)的電磁信號(hào)性能和靜區(qū)靜度等四個(gè)要素構(gòu)成.暗室靜區(qū)是暗室工程建設(shè)的最核心內(nèi)容。對(duì)于已建成的暗室。隨著受試設(shè)備的工作頻率,尺寸大小和試驗(yàn)狀態(tài).測(cè)量項(xiàng)目?jī)?nèi)容和不確定度的要求 采用的不同測(cè)量系統(tǒng)、暗室靜區(qū)四個(gè)要素的量值是不一樣的，對(duì)于待建暗室,應(yīng)根據(jù)上述受試設(shè)備的不同內(nèi)容和要求、設(shè)計(jì)暗室型體和尺寸.布局測(cè)量系統(tǒng) 采用合理的吸波和屏蔽技術(shù)、滿足暗室靜區(qū)四個(gè)要素的不同量值要求，2，0，6。靜區(qū)范圍內(nèi)電磁背景雜波是指落入靜區(qū)內(nèi)的不利于測(cè)試的電磁波能量，包括測(cè)試信號(hào)被暗室內(nèi)各種物體界面反射和散射到靜區(qū)的相干雜散測(cè)試信號(hào)。以及外界泄漏到暗室靜區(qū)的電磁噪聲。兩者的總合成電平是電磁背景雜波.2,0，7，對(duì)靜區(qū)內(nèi)電磁波信號(hào)的要求.主要是幅度均勻性和相位一致性、對(duì)其要求既取決于測(cè)試項(xiàng)目?jī)?nèi)容 又取決于系統(tǒng)分配給電磁波信號(hào)傳播對(duì)受試設(shè)備性能測(cè)量不確定度的貢獻(xiàn)程度,因此。對(duì)靜區(qū)電磁信號(hào)特性的具體要求應(yīng)根據(jù)項(xiàng)目不同而異,2、0,8.測(cè)試信號(hào)電磁波在暗室內(nèi)壁界面處產(chǎn)生的反射如指向靜區(qū) 則在此反射處的一定區(qū)域范圍內(nèi)大部分能量反射到靜區(qū),此主要反射區(qū)域 通常以較低階數(shù)的菲涅爾區(qū)域所包圍的范圍界定,2.0,9。在滿足電磁波遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)最小距離要求條件下。被測(cè)對(duì)象天線口面橫向尺寸范圍內(nèi)的電磁場(chǎng)波前分布，能夠滿足相位誤差要求 一般情況下.當(dāng)需要滿足球面波前相位偏離π.8要求的情況下，遠(yuǎn)場(chǎng)最小距離應(yīng)大于2D2。λ.其中 D為天線口面有效橫向尺寸.λ為工作波長(zhǎng)、2.0 10、近場(chǎng)區(qū)包括輻射近場(chǎng)區(qū)和電抗性近場(chǎng)區(qū)，其中輻射近場(chǎng)區(qū).其范圍介于電抗性近場(chǎng)區(qū)范圍 在λ、2π以內(nèi).和最小距離遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)范圍、2D2,λ.之間,暗室工程的近場(chǎng)區(qū)是指輻射近場(chǎng)區(qū),一般在3λ 10λ范圍內(nèi)，需滿足大于λ。2π且小于2D2、λ的要求，2，0。11.產(chǎn)生緊縮場(chǎng)的測(cè)量系統(tǒng)。一般常用高精度的單反射面天線系統(tǒng)或高精度的雙反射面天線系統(tǒng),2 0,13,影響交叉極化隔離度的因素有多種 主要有系統(tǒng)設(shè)備加工精度、裝配和安裝誤差,測(cè)量技術(shù)誤差，傳輸環(huán)境產(chǎn)生的誤差等。作為暗室工程。注重于傳輸因素對(duì)交叉極化隔離度的影響程度、2。0。14,電磁波在不同路徑傳輸中的能量衰減程度 是與傳輸介質(zhì)特性.傳輸路徑長(zhǎng)短，電磁波頻率等因素密切相關(guān)的,2，0,15，輻射功率密度的單位。在暗室工程中根據(jù)使用領(lǐng)域的不同、常采用dBkW，m2、dBmW.m2,dBmW,cm2.dBμW。cm2，2，0,16。電磁波吸收材料根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合和性能要求的不同 其結(jié)構(gòu)形式、尺寸。材質(zhì)多種多樣，在暗室工程中應(yīng)該合理選擇 2 0，17。電磁波吸收材料的反射性能、在其他情況不變的情況下。與電磁波投射到材料表面的入射角度關(guān)系密切，通常吸波材料提供的是垂直投射界面狀態(tài)下的反射性能 暗室工程技術(shù)特別要重視投射角度的變化所引起的材料反射性能的變化、