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4 5、半導(dǎo)體材料制備4,5。1 本條對硅,鍺材料制備廢氣治理作出要求,3,高純?nèi)葰涔柽€原尾氣中。主要含有氫氣、氯化氫和氯硅烷.還原尾氣干法回收技術(shù)是利用還原尾氣中各種組分物理性能,露點(diǎn),沸點(diǎn)、上的差異 通過加壓冷凝,吸收,脫吸、活性炭吸附等物理手段.把尾氣中的氫氣.氯化氫、三氯氫硅.二氯二氫硅、四氯化硅逐一分開,分別返回主工藝中,四氯化硅通過氯化轉(zhuǎn)變成的三氯氫硅 也返回系統(tǒng)使用.由于還原尾氣干法回收系統(tǒng)完全密閉 不外排尾氣,分離回收的上述副產(chǎn)物全部返回工藝系統(tǒng)使用,從而達(dá)到了回收副產(chǎn)物,變廢為用的目的。本規(guī)范推薦采用還原尾氣干法回收技術(shù),5,硅粉倉,鍺精礦倉進(jìn),出料產(chǎn)生的粉塵.應(yīng)設(shè)計(jì)高效布袋除塵器凈化、回收的塵粉即硅粉,鍺精礦粉.應(yīng)返回原料制備車間。6。氧化鍺制備過程產(chǎn)生的尾氣中含有氯化氫,氯氣.應(yīng)設(shè)計(jì)氫氧化鈉堿液一級淋洗凈化,還原鍺錠。區(qū)熔鍺錠腐蝕過程產(chǎn)生含氟化氫。氮氧化物的廢氣.應(yīng)設(shè)計(jì)氫氧化鈉堿液兩級淋洗,才能使氟化物,氮氧化物達(dá)標(biāo)排放、7。單晶硅。單晶鍺酸洗過程產(chǎn)生含氟化氫 氮氧化物的廢氣 也應(yīng)設(shè)置堿液淋洗裝置凈化。4 5,2 合成砷化鎵時發(fā)生石英管爆裂的概率很低 持續(xù)時間也很短,最長5min。這種事故發(fā)生的時間一般在合成爐升溫的前30min和降溫的后30min 由于爐內(nèi)溫度高于400,砷會迅速揮發(fā)產(chǎn)生三氧化二砷劇毒氣體,因此必須設(shè)置事故排放的含砷廢氣處理設(shè)施,妥善處理事故排放的含砷廢氣 三氧化二砷氣體是劇毒氣體,因此將本條設(shè)為強(qiáng)制性條文,必須嚴(yán)格執(zhí)行
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