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5,5、半導(dǎo)體材料制備5,5,1。本條對硅、鍺材料制備的生產(chǎn)廢水處理作出要求.1 采用改良西門子工藝生產(chǎn)多晶硅的生產(chǎn)排水包括廢氣淋洗水 硅芯和硅片腐蝕產(chǎn)生的污酸及凈化酸霧產(chǎn)生的酸性廢水以及硅芯、硅片清洗水等。生產(chǎn)排水主要含氯離子,氟離子?？刹捎檬抑泻吞幚?使污染物達(dá)標(biāo).或處理后回用于氯化氫合成。三氯氫硅合成，三氯氫硅提純工序產(chǎn)生的廢氣淋洗或硅芯、硅片腐蝕產(chǎn)生的酸霧凈化，2.硅片加工過程產(chǎn)生含碳化硅,有機(jī)溶質(zhì)的漿料,應(yīng)回收其中的碳化硅.3,鍺精礦加鹽酸氯化產(chǎn)出的粗四氯化鍺蒸餾,復(fù)蒸.精餾生產(chǎn)精四氯化鍺過程產(chǎn)生的廢水含氯離子、呈酸性,四氯化鍺水解產(chǎn)出二氧化鍺的同時(shí)產(chǎn)生的水解母液也呈酸性 生產(chǎn)過程含鹽酸的廢氣用水吸收的淋洗液同樣呈酸性。均應(yīng)采用中和法處理 4.單晶硅、單晶鍺酸洗產(chǎn)生的含氟化氫，氮氧化物的廢氣、通常采用堿液淋洗吸收處理,淋洗液無論呈酸性還是呈堿性、都應(yīng)中和處理,5、六價(jià)鉻毒性大,因此本款為強(qiáng)制性條文。必須嚴(yán)格控制,為了檢測單晶硅。單晶鍺產(chǎn)品的晶體有無缺陷等質(zhì)量問題 需要將晶體放在含鉻溶液中浸泡.因而產(chǎn)生含鉻廢液.鉻、總鉻及六價(jià)鉻 是第一類污染物、必須單獨(dú)收集,還原處理至總鉻濃度低于1。5mg,L 六價(jià)鉻濃度低于0。5mg,L后 再送全廠污水處理站進(jìn)一步凈化處理。5,5 2、制備化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵的原料高純砷的提純過程產(chǎn)生含砷廢水 合成后的砷化鎵用王水清洗后，廢棄的王水中含砷 砷化鎵合成時(shí).砷揮發(fā)物冷凝在石英管壁上 用王水清洗石英管壁的廢液也含砷、廢水，液、含砷濃度較高時(shí) 應(yīng)首先考慮在酸性條件下以硫化砷的形式回收砷.含砷濃度較低時(shí)，應(yīng)首先將三價(jià)砷轉(zhuǎn)變?yōu)槲鍍r(jià)砷再進(jìn)一步凈化處理。因?yàn)槿齼r(jià)狀態(tài)的砷,As3，毒性20倍于五價(jià)狀態(tài)的砷。As5