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附錄C。發(fā)光二極管生產(chǎn)的典型工藝流程C。2,1.采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備.在襯底 如Al2O3,GaAs.上做外延層，GaN,AlGaInP.和相應(yīng)的摻雜層如p。GaN層、n GaN層,p,AlxGayIn1。x、yP層.n，AlxGayIn1 x、yP層等。按照特定程序生長出符合設(shè)計(jì)要求的外延層,GaN。GaAs。AlxGayIn1.x.yP.C、2.2 管芯。芯片。生產(chǎn)工藝流程包括 光刻,刻蝕.減薄 劃片。繃片,擴(kuò)片 測試.分揀等工藝 光刻。通過一系列生產(chǎn)步驟,在晶圓表面部分區(qū)域形成設(shè)計(jì)所需的薄膜保護(hù)層.以便后續(xù)工序進(jìn)行選擇性蝕刻,光刻工藝主要包含勻膠.烘干.曝光,顯影四個(gè)階段,勻膠，在清洗后的外延片上、涂覆一層均勻的光刻膠，烘干。在一定條件下烘烤.除去光刻膠中的溶劑 增強(qiáng)黏附性 釋放光刻膠膜內(nèi)的應(yīng)力，防止光刻膠玷污設(shè)備，曝光，在掩模版的遮蔽下.對光刻膠進(jìn)行選擇性曝光 使光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)、整個(gè)晶面的光刻膠薄膜由起交聯(lián)反應(yīng)部分與未起交聯(lián)反應(yīng)部分組成.顯影.采用特定化學(xué)溶劑去除起交聯(lián)反應(yīng)部分光刻膠或去除未起交聯(lián)反應(yīng)部分光刻膠 在晶圓表面部分區(qū)域形成設(shè)計(jì)所需的薄膜保護(hù)層，刻蝕 刻蝕技術(shù)分為干法刻蝕和濕法刻蝕,刻蝕的目的是將光刻后暴露的保護(hù)層去除.使下面的基質(zhì)層暴露出來。干法刻蝕.利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基，處于激發(fā)態(tài)的分子，原子及各種原子基團(tuán)等。與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或通過轟擊等物理作用選擇性腐蝕基材的過程 刻蝕氣氛通常含有F Cl等離子體或碳等離子體,因此刻蝕氣體通常使用CF4.Cl2,BCl3這一類的氣體 濕法刻蝕,通過化學(xué)反應(yīng)的方法對基材腐蝕的過程，根據(jù)不同的工藝要求而選擇不同的刻蝕劑.最常用的是以氫氟酸。鹽酸。硫酸、硝酸等和純水配成的刻蝕液,刻蝕完成后，要用酸,堿和純水反復(fù)沖洗.以保證刻痕的清潔.減薄、劃片.繃片。擴(kuò)片、對于氮化鎵,或砷化鎵、的襯底，先將已制作好管芯的一面用石蠟粘合在陶瓷蓋上保護(hù)起來.在減薄機(jī)上用不同粒度大小的金剛砂對襯底進(jìn)行減薄、將減薄后晶片粘在帶黏性的薄膜上、用激光劃片機(jī)劃出或用金剛石鋸片機(jī)切割出每一個(gè)單獨(dú)的管芯，將劃片后的晶片在繃片機(jī)上繃緊.用適當(dāng)?shù)牧α亢偷毒邠舸騽澓垡允够趧澓厶幜验_ 最后在擴(kuò)片機(jī)上將黏附襯底的薄膜伸張 使管芯與管芯之間分離一定間距。并黏附在薄膜上 測試,分揀.在分揀機(jī)上根據(jù)不同的測試數(shù)據(jù)按照一定的分類規(guī)則對管芯進(jìn)行分類,C、2、3，管芯.芯片.封裝生產(chǎn)工藝流程包括.裝片。金線鍵合，固化。切筋,裝片，將發(fā)光二極管芯片安裝在相應(yīng)的支架位置上.金線鍵合 鍵合的目的是將電極引到發(fā)光二極管芯片上,完成產(chǎn)品內(nèi)外引線的連接作用、固化、對芯片進(jìn)行包封、以產(chǎn)生器件的光學(xué)和防護(hù)特性。切筋.由于發(fā)光二極管在生產(chǎn)中是連在一起的、采用切筋工藝切斷發(fā)光二極管支架的連筋。