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16。半導體材料廠車間電力設計16,0、2 因通電時間短。其他用電設備尚未投入運行,此時電源的負荷率很低 完全可滿足這些短時用電的負荷。所以不必再計算這類負荷的用電及無功動率補償、16。0.3.三氯氫硅合成爐的工頻感應線圈有三種計算方法,即變壓器法.貝塞函數(shù)法和實驗曲線法。本規(guī)范推薦采用實驗曲線法。該法是在某種特定條件下 用實際的感應加熱器做實驗得出的曲線.并以此作為計算的基礎.該法計算簡潔 誤差允許，便于應用、16.0 4。過去這類電控設計 電力和儀表專業(yè)由于配合不當，常常出現(xiàn)各搞一套的不協(xié)調局面、為改變這種狀況,使電控系統(tǒng)的設計更加合理,更有利于監(jiān)控和管理、避免不協(xié)調現(xiàn)象繼續(xù)發(fā)生,特制定此條，在控制室內(nèi)設有正壓通風。是為防止SiHCI3.或SiCl4,氣體對電控設備的腐蝕，但吸風口應設在戶外或經(jīng)簡易過濾裝置,保證控制室內(nèi)空氣純凈，16 0,5、多晶硅的電氣室是一個專用的電氣室。為了方便維護管理 減少占地面積.并經(jīng)多年實踐證明、高。低壓設備同室布置完全可行。本規(guī)范加以推薦、如電氣設備為油浸式冷卻方式，按防火要求、兩設備之間應設防火隔墻并設排油設施 16.0、6、為減少電能損耗.便于維護管理.多晶硅氫還原爐電氣室通常與多晶硅氫還原爐室上下毗鄰 為了防止三氯氫硅氣體和氫氣滲入電氣室、所以在兩室之間嚴禁開設門窗及其他孔洞。電源線的穿越處應做嚴密封堵.為安全起見。與電氣室無關的管道,不應通過電氣室.否則應采取隔離設施.16.0。7 當還原爐高壓啟動和還原生產(chǎn)時,還原爐內(nèi)常有異常現(xiàn)象發(fā)生。需常去電氣室觀察電氣設備運行情況 因此在還原爐控制室和電氣室之間設一個便于聯(lián)系的通道十分必要 16,0、9 變壓器中性線過熱是各半導體材料廠一致反映的問題、采取了加大中性線截面的措施，效果較好.D。yn11型變壓器比Y，yn0型變壓器對于限制三次諧波.降低零序阻抗。提高單相短路電流和保護裝置的靈敏度 具有明顯的優(yōu)越性、16，0、10.在單晶爐和區(qū)熔爐附近設開關箱.有利于單晶爐，區(qū)熔爐的斷電檢修和調試,確保安全.16，0。11,單晶爐。區(qū)熔爐及物測室的測試儀器對電壓穩(wěn)定度要求較高、電壓波動直接影響單晶體的形成和測試精度.因此對這些設備最好由單獨的變壓器供電.16，0,12.裝設電源濾波裝置是為了抑制區(qū)熔爐高頻裝置2MC，4MC高頻電源沿供電線路進行傳導干擾。濾波器的安裝位置主要考慮線路簡潔.就地抑制，所以一般是安裝在屏蔽室外墻的電源進線處、濾波器的接地可借助屏蔽室的高頻接地、用鍍鋅銅板制作接地裝置是根據(jù)北京勞防所提供的實踐資料并征求上海電科所的意見確定的、生產(chǎn)廠反映效果良好 高頻接地的接地線長度應避開λ,4及λ。4的奇數(shù)倍 是為了減少接地線可能出現(xiàn)的干擾.當接地線長度為高頻設備工作波長的1。4或1.4工作波長的奇數(shù)倍時，其阻抗為無窮大，此時它相當于一根天線，可接收或輻射干擾信號。故應避開采用這個長度、設計中接地線做得越短越好 16、0，13 本條規(guī)定是為了防止電源濾波器未加屏蔽的配電線路.經(jīng)高頻耦合越過濾波器對電源進行干擾，16.0,14.區(qū)熔爐的槽路接地是高頻裝置要求的,每臺設備單獨設接地裝置是為了防止相互干擾,16、0,15,本條規(guī)定是為了使設備冷卻水斷水能及時發(fā)現(xiàn)并加以保護 防止斷水運行燒壞設備。16,0。16。物測室裝設電源濾波器是為了由電源線傳入高頻干擾信號.做成一點接地的目的是防止不同的大地電位經(jīng)屏蔽網(wǎng)進行干擾 16、0.17。防止經(jīng)電力、照明線路及熒光燈的鎮(zhèn)流器向室內(nèi)進行干擾.16 0 18，這樣做是為了減少泄漏以提高屏蔽室的屏蔽效能、