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2 術(shù)。語2.0,1.晶圓.wafer、經(jīng)過集成電路前工序加工后.形成了電路管芯的硅或其他化合物半導(dǎo)體的圓形單晶片 2，0 2.中測(cè)、chip,testing.對(duì)完成前工序工藝的晶圓進(jìn)行器件標(biāo)準(zhǔn)和功能性電學(xué)測(cè)試.2，0、3 磨片,wafer,grinding、通過磨輪磨削等手段對(duì)晶圓背面減薄、以滿足劃片加工的厚度要求。2、0。4。劃片.wafer，saw，將減薄后的晶圓切割成獨(dú)立的芯片。2，0，5,粘片.die,bond 將切割好的芯片置放到引線框架或封裝襯底或基座條帶上,2 0.6.焊線、wire bond 芯片上的引線孔通過金線或銅線等與框架襯底上的引腳連接，使芯片電路能與外部電路連通 2，0，7，塑封，molding。環(huán)氧樹脂經(jīng)模注、灌封,壓入等工序?qū)⑿酒蚣芑蚧?電極引線等封為一體,2，0。8。電鍍。plating。在框架引腳上形成保護(hù)性鍍層,以增強(qiáng)可焊性,2，0。9.成品測(cè)試,testing、對(duì)包封后的集成電路產(chǎn)品分選測(cè)試的過程.2.0.10，晶圓級(jí)封裝 wafer。level，packaging，在完整晶圓上完成包括成品測(cè)試在內(nèi)的各道工藝 最后切割成單個(gè)電路的封裝形式、2、0、11 通孔 through。silicon,via,采用深層等離子刻蝕，激光加工或濕法刻蝕等方式在芯片和芯片之間。晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通,2,0，12.凸塊.bumping、采用金.鉛錫或銅等材料利用薄膜或化學(xué)鍍工藝制成倒裝芯片電路的接觸點(diǎn)，