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- 集成電路封裝測試廠設計規(guī)范 GB 51122-2015
- 1 總 則
- 2 術 語
- 3 工藝設計
- 3.1 一般規(guī)定
- 3.2 技術設備
- 3.3 工藝布局
- 4 廠址選擇及布局
- 5 建筑與結構
- 6 給排水與消防
- 7 電 氣
- 8 凈化空調及工藝排風
- 9 純水與廢水處理
- 10 氣體與真空
- 附錄A 集成電路封裝測試廠工藝流程
- 本規(guī)范用詞說明
- 引用標準名錄
- 條文說明
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- 加氫站技術規(guī)范[附條文說明] GB 50516-2010（2021年版）
- 安全防范工程通用規(guī)范[附條文說明] GB 55029-2022
- 工業(yè)企業(yè)總平面設計規(guī)范[附條文說明] GB 50187-2012
- 建筑與市政工程無障礙通用規(guī)范[附條文說明] GB 55019-2021
- 中小學校設計規(guī)范[附條文說明] GB 50099-2011
- 泵站設計標準[附條文說明] GB 50265-2022
3 工藝設計3、1,一般規(guī)定3 1,1,生產(chǎn)環(huán)境宜符合表3，1、1的要求,表3、1。1。生產(chǎn)環(huán)境需求表3、1、2 生產(chǎn)過程所使用純水的電阻率應符合下列規(guī)定，1，用于硅片清洗的純水電阻率不宜低于15MΩ,cm，2，用于硅片劃片的純水電阻率宜在0.5MΩ.cm.1MΩ，cm范圍內.3。用于電鍍工藝的純水電阻率不宜低于2MΩ、cm.3,1、3。生產(chǎn)過程所使用氣體的品質應符合下列規(guī)定，1 用于通孔,凸塊工序的氣體純度不宜低于99，9999，露點不宜低于.60、2。用于中測、磨片，劃片，粘片,焊線。塑封等工序的氣體純度宜在99，99,99。9999 范圍內 露點宜在。40、60、范圍內.