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- 多晶硅工廠設(shè)計(jì)規(guī)范 GB 51034-2014
- 1 總 則
- 2 術(shù) 語(yǔ)
- 3 基本規(guī)定
- 4 廠址選擇及廠區(qū)規(guī)劃
- 5 工藝設(shè)計(jì)
- 5.1 一般規(guī)定
- 5.2 三氯氫硅合成和四氯化硅氫化
- 5.3 氯硅烷提純
- 5.4 三氯氫硅氫還原
- 5.5 還原尾氣干法回收
- 5.6 硅芯制備及多晶硅產(chǎn)品后處理
- 5.7 分析檢測(cè)
- 6 電氣及自動(dòng)化
- 7 輔助設(shè)施
- 8 建筑結(jié)構(gòu)
- 9 給水、排水和消防
- 10 采暖、通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)
- 11 環(huán)境保護(hù)、安全和衛(wèi)生
- 12 節(jié)能、余熱回收
- 附錄A 地下管線與建(構(gòu))筑物之間的最小水平凈距
- 附錄B 地下管線之間的最小水平凈距
- 附錄C 主要房間空氣潔凈度、溫度、濕度
- 本規(guī)范用詞說(shuō)明
- 引用標(biāo)準(zhǔn)名錄
- 條文說(shuō)明
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5.5、還原尾氣干法回收5。5,1。還原尾氣干法回收設(shè)計(jì)范圍應(yīng)包括氣體壓縮、氯硅烷深冷分離 氫氣吸附、以及再生后氣處理等單元。5。5 2、還原尾氣除塵工序宜在前端增加過(guò)濾器或采用其他解決尾氣中無(wú)定形硅的技術(shù)、5,5,3。氯硅烷分離工序宜采用高壓深冷方式回收氯硅烷 并宜采用高壓低溫吸收、低壓高溫解析方式回收氯化氫，5,5.4,還原尾氣干法回收工序布置宜符合下列規(guī)定.1 宜臨近還原車間布置 2。還原尾氣干法回收工序的氣體壓縮系統(tǒng)。氯硅烷深冷分離、吸附提純氫系統(tǒng)宜獨(dú)立設(shè)置于敞開或半敞開式的構(gòu)筑物內(nèi),制冷系統(tǒng)宜布置于密閉建筑物內(nèi)、附屬輔助系統(tǒng)宜在滿足防火間距的基礎(chǔ)上毗連布置.5，5 5 還原尾氣干法回收工序的主要設(shè)備選型應(yīng)符合下列規(guī)定。1、各系統(tǒng)內(nèi)的設(shè)備能力應(yīng)互相匹配,并應(yīng)保證生產(chǎn)的連續(xù)性 2。氫氣壓縮機(jī)應(yīng)選擇密封性好.噪聲小，故障率低，低電耗的機(jī)型。宜設(shè)置備用機(jī)。3、宜選用運(yùn)行穩(wěn)定、故障率低,密封好的泵 應(yīng)設(shè)置備用機(jī)、