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- 多晶硅工廠設(shè)計(jì)規(guī)范 GB 51034-2014
- 條文說(shuō)明
- 1 總 則
- 2 術(shù) 語(yǔ)
- 3 基本規(guī)定
- 4 廠址選擇及廠區(qū)規(guī)劃
- 5 工藝設(shè)計(jì)
- 5.1 一般規(guī)定
- 5.2 三氯氫硅合成和四氯化硅氫化
- 5.3 氯硅烷提純
- 5.4 三氯氫硅氫還原
- 5.3 氯硅烷提純
- 5.6 硅芯制備及多晶硅產(chǎn)品后處理
- 5.7 分析檢測(cè)
- 6 電氣及自動(dòng)化
- 7 輔助設(shè)施
- 8 建筑結(jié)構(gòu)
- 9 給水、排水和消防
- 10 采暖、通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)
- 11 環(huán)境保護(hù)、安全和衛(wèi)生
- 12 節(jié)能、余熱回收
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- 安全防范工程通用規(guī)范[附條文說(shuō)明] GB 55029-2022
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5。2 三氯氫硅合成和四氯化硅氫化5.2。1.目前國(guó)內(nèi)多晶硅企業(yè)有的自建合成裝置 有的靠市場(chǎng)供應(yīng)補(bǔ)充，有的調(diào)整生產(chǎn)工藝將氫化和合成工序合二為一。因此各個(gè)企業(yè)應(yīng)根據(jù)各自情況來(lái)決定采用何種方式補(bǔ)充三氯氫硅。5,2.4,三氯氫硅合成的反應(yīng)氣體中含有粉塵 金屬氯化物等雜質(zhì)，這些物質(zhì)有可能堵塞設(shè)備和管道,影響生產(chǎn)系統(tǒng)的運(yùn)行 造成停車等問(wèn)題 因此需要采取合適的除塵工藝除去該類物質(zhì)，減少系統(tǒng)阻塞的可能性。保證較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間.減少停車檢修時(shí)間，5、2。7 目前國(guó)內(nèi)主流的四氯化硅處理方式為高溫氫化、冷氫化，各有優(yōu)缺點(diǎn),高溫氫化工藝單位產(chǎn)品耗電量高，冷氫化工藝雖然單位產(chǎn)品耗電量低,但是會(huì)引入新雜質(zhì),與之配套的精餾提純工藝較為復(fù)雜。蒸汽消耗量較高。所以各個(gè)企業(yè)應(yīng)根據(jù)各自情況綜合比較后再?zèng)Q定采用何種氫化工藝,5，2、9,為保證冷氫化工序生產(chǎn)連續(xù)長(zhǎng)期運(yùn)行、應(yīng)定期排放固體含量很高的殘液、防止其堵塞管道和設(shè)備。由于殘液中含有硅粉，金屬氯化物等物質(zhì),不適合長(zhǎng)距離輸送，而殘液需要回收有用組分。避免造成環(huán)境污染。因此冷氫化裝置應(yīng)配套殘液回收裝置。且就近配置 5 2 11。對(duì)于輸送易燃。易爆.有毒，有腐蝕性物料的設(shè)備應(yīng)考慮其使用的安全性、防止泄漏，