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5,6、硅芯制備及多晶硅產(chǎn)品后處理5,6 1,硅芯制備工藝可采用區(qū)熔法拉制和切割法 工藝路線選擇應(yīng)根據(jù)硅芯生產(chǎn)規(guī)模.能源價(jià)格等情況、經(jīng)技術(shù)經(jīng)濟(jì)分析比較后確定.5 6,2 采用區(qū)熔法拉制硅芯應(yīng)設(shè)置電磁屏蔽。5、6、3。硅芯制備的房間應(yīng)設(shè)置在潔凈區(qū)內(nèi)。5、6。4、多晶硅后處理應(yīng)包括產(chǎn)品運(yùn)輸。破碎.分揀 包裝 腐蝕清洗等工序.其中運(yùn)輸 破碎,分揀。包裝工序應(yīng)符合下列規(guī)定.1、硅棒破碎系統(tǒng)的位置應(yīng)根據(jù)運(yùn)輸硅棒路徑,中間倉庫位置及廠房工藝布置確定、并應(yīng)靠近還原車間、2、硅棒運(yùn)輸車內(nèi)襯板宜采用耐磨。不吸塵的非金屬材料 3、硅棒破碎方式應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)規(guī)模 物料性能和產(chǎn)品粒度確定.可采用人工破碎或機(jī)械破碎、4,破碎工具與產(chǎn)品接觸部分、應(yīng)選用硬度大和強(qiáng)度高的材料。5.破碎系統(tǒng)應(yīng)設(shè)置除塵裝置 6、破碎粒度應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn),硅多晶.GB.T 12963和、太陽能級(jí)多晶硅.GB,T,25074有關(guān)塊狀多晶硅的尺寸范圍要求,7,破碎、分揀,包裝應(yīng)設(shè)置在潔凈區(qū)內(nèi)。5,6 5,腐蝕清洗工序應(yīng)符合下列規(guī)定。1、腐蝕清洗應(yīng)設(shè)置在潔凈區(qū)內(nèi),2,腐蝕清洗室內(nèi)應(yīng)設(shè)置單獨(dú)的物料進(jìn)出口。并應(yīng)與人員出入口分開,3.供酸室應(yīng)與腐蝕清洗室分開布置、供酸室應(yīng)布置在便于酸桶運(yùn)輸?shù)牡胤?并應(yīng)采取防護(hù)措施。4。腐蝕清洗設(shè)備內(nèi)酸腐蝕部位應(yīng)設(shè)置強(qiáng)制排風(fēng).廢氣應(yīng)處理達(dá)標(biāo)后再排放.5.輸送強(qiáng)酸的管道應(yīng)采用雙層套管。外層宜采用透明聚氯乙烯,PVC,管、
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