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3.電子產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)境設(shè)計(jì)要求3,1、一般規(guī)定3、1 1，3,1.3、隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，電子產(chǎn)品生產(chǎn)日新月異.以微電子產(chǎn)品為代表的各種電子產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展迅速.現(xiàn)代電子產(chǎn)品要求微型化 精密化。高純度。高質(zhì)量和高可靠性 以人們熟悉的手機(jī) 筆記本電腦為例。它所使用的集成電路.電子元器件以及其組裝的生產(chǎn)過(guò)程都要求在受控環(huán)境條件下進(jìn)行操作。其中以集成電路生產(chǎn)過(guò)程對(duì)受控環(huán)境的要求尤為嚴(yán)格 當(dāng)今線寬為45nm的超大規(guī)模集成電路產(chǎn)品已投入生產(chǎn)。其受控生產(chǎn)環(huán)境.潔凈室,區(qū).的受控粒子尺寸要求小于0 02μm甚至更小、表1是超大規(guī)模集成電路的發(fā)展及相應(yīng)控制粒子的粒徑,集成電路產(chǎn)品的生產(chǎn)和研究表明，超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)所需受控環(huán)境不僅嚴(yán)格控制微粒，而且還需嚴(yán)格控制生產(chǎn)環(huán)境的化學(xué)污染物和直接與產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程接觸的各種介質(zhì)，高純水 高純氣體，化學(xué)品的純度和雜質(zhì)含量.表2是超大規(guī)模集成電路對(duì)化學(xué)污染物的控制指標(biāo)，表3是大規(guī)模集成電路的工藝發(fā)展、從表1。表3中所列數(shù)據(jù)可見(jiàn),動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器、Dynamic。Random、Access，memory，簡(jiǎn)稱DRAM、產(chǎn)品的線寬從0,25pm發(fā)展到0。05、μm，要求潔凈室、區(qū).生產(chǎn)環(huán)境控制粒子直徑從0,125μm嚴(yán)格到0.025μm 空氣潔凈度等級(jí)從5級(jí)到6級(jí),嚴(yán)格到1級(jí)或更嚴(yán)。生產(chǎn)過(guò)程使用的高純氣，高純水中的雜質(zhì)含量從10.6、嚴(yán)格到10,11等 集成電路生產(chǎn)實(shí)踐表明、芯片生產(chǎn)過(guò)程使用的工具,器具和物料儲(chǔ)運(yùn)裝置也可能成為微粒?；瘜W(xué)污染物的攜帶者或污染源，所以對(duì)其制作材質(zhì)和清潔方式或保護(hù)方法,應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品生產(chǎn)工藝要求采取相應(yīng)的技術(shù)措施、為此,在本規(guī)范中作出第3，1 1，3、1、3條的一般規(guī)定，