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- 硅集成電路芯片工廠設(shè)計(jì)規(guī)范 GB 50809-2012
- 1 總 則
- 2 術(shù) 語
- 3 工藝設(shè)計(jì)
- 4 總體設(shè)計(jì)
- 5 建筑與結(jié)構(gòu)
- 6 防 微 振
- 7 冷 熱 源
- 8 給排水及消防
- 9 電 氣
- 9.1 供 配 電
- 9.2 照 明
- 9.3 接 地
- 9.4 防 靜 電
- 9.5 通信與安全保護(hù)
- 9.6 電 磁 屏 蔽
- 10 工藝相關(guān)系統(tǒng)
- 11 空間管理
- 12 環(huán)境安全衛(wèi)生
- 本規(guī)范用詞說明
- 引用標(biāo)準(zhǔn)名錄
- 條文說明
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9 6,電 磁，屏.蔽9、6、1，硅集成電路芯片生產(chǎn)相關(guān)工序的房間和測量,儀表計(jì)量房間、凡屬下列情況之一，應(yīng)采取電磁屏蔽措施 1 環(huán)境的電磁場強(qiáng)度超過生產(chǎn)設(shè)備和儀器正常使用的允許值，2,生產(chǎn)設(shè)備及儀器產(chǎn)生的電磁泄漏超過干擾相鄰區(qū)域所允許的環(huán)境電磁場強(qiáng)度值,3.有特殊電磁兼容要求時(shí) 9,6 2.環(huán)境電磁場場強(qiáng)宜以實(shí)測值為設(shè)計(jì)依據(jù) 缺少實(shí)測數(shù)據(jù)時(shí)。可采用理論計(jì)算值再加上6dB,8dB的環(huán)境電平值作為干擾場強(qiáng)、9，6。3，生產(chǎn)設(shè)備和儀器所允許的環(huán)境電磁場強(qiáng)度值。應(yīng)以產(chǎn)品技術(shù)說明要求為依據(jù) 9、6.4 對需要采取電磁屏蔽措施的生產(chǎn)工序、在滿足生產(chǎn)操作和屏蔽結(jié)構(gòu)體易于實(shí)現(xiàn)的前提下，宜直接對生產(chǎn)工序中的設(shè)備工作地環(huán)境進(jìn)行屏蔽,9 6、5 對需要采取電磁屏蔽措施的區(qū)域 屏蔽結(jié)構(gòu)的屏蔽效能應(yīng)在工作頻段有不小于10dB的余量、屏蔽室的電磁屏蔽效能，可按表9、6,5的數(shù)值確定.表9，6,5,屏蔽室的電磁屏蔽效能9,6.6,屏蔽措施可選擇下列方式,1，直接對生產(chǎn)設(shè)備工作地環(huán)境進(jìn)行屏蔽時(shí) 宜選擇裝配式的商品屏蔽室.2 對生產(chǎn)工序整體環(huán)境進(jìn)行屏蔽時(shí) 宜選擇非標(biāo)設(shè)計(jì)和施工安裝的屏蔽體、3.對儀表計(jì)量房間的電磁進(jìn)行屏蔽時(shí),裝配式的商品屏蔽室與非標(biāo)設(shè)計(jì)和施工安裝的屏蔽體均可采用.9。6。7,屏蔽效果驗(yàn)收測量應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn) 電磁屏蔽室屏蔽效能的測量方法 GB,T。12190的規(guī)定,