5、8、反應(yīng)離子刻蝕機5。8。1,反應(yīng)離子刻蝕機的安裝應(yīng)符合下列規(guī)定,1、應(yīng)通過調(diào)節(jié)四個地腳高度來調(diào)平承片臺 2,應(yīng)根據(jù)設(shè)備和環(huán)境要求、安裝一般排風系統(tǒng)或酸堿排風系統(tǒng),3,設(shè)備總電源應(yīng)配置專用空氣開關(guān),接地線應(yīng)可靠。4,刻蝕電極應(yīng)獨立安裝循環(huán)冷卻水系統(tǒng).水壓應(yīng)為0,2MPa 0,6MPa,水溫應(yīng)保持在16,28 水阻不應(yīng)小于3MΩ。5,應(yīng)安裝工藝用氣CF4,SF6,C4F和O2等氣體管道,若廠房沒有配置固定的管道氣體,可采用罐裝氣體接入 6。射頻電源功率可分別設(shè)置為1000W和500W、并應(yīng)具有阻抗自動匹配功能。7。應(yīng)根據(jù)氣體性質(zhì)安裝氣體泄漏報警裝置.5 8。2.反應(yīng)離子刻蝕機的調(diào)試及試運行應(yīng)符合下列規(guī)定,1。應(yīng)準備好已涂覆上相同厚度聚酰亞胺膜層的基片,且應(yīng)已有均勻的掩模窗口.2。應(yīng)啟動循環(huán)冷卻水系統(tǒng)并檢查循環(huán)水箱水位。水位過低時可從水箱上方的注水口注入純水、并應(yīng)確保其水位在。MAX。和 MIN 之間 3。應(yīng)切斷進氣閥和保護閥??捎迷O(shè)備自帶的真空系統(tǒng)對反應(yīng)室抽真空 測試極限真空度應(yīng)能達到氣壓不大于1,0,10、4Pa、用氦質(zhì)譜檢漏儀檢測反應(yīng)室漏氣率不應(yīng)大于1,0 10。6Pa L s、4 開機進入主界面時。應(yīng)打開機械泵和分子泵,待分子泵的速度達到滿轉(zhuǎn)后方可進行刻蝕工藝,5。應(yīng)將基片放到刻蝕腔室承片臺上 應(yīng)關(guān)閉腔室并設(shè)置好工藝氣體流量。射頻電源電壓 刻蝕時間,進行刻蝕工藝 6.設(shè)備應(yīng)具備光學(xué)發(fā)射光譜法終點檢測系統(tǒng),7、刻蝕結(jié)束后應(yīng)用膜厚測量儀測試基片的上 下、左,右,中五個點、應(yīng)記錄打開窗口中剩余聚酰亞胺的厚度.片內(nèi)和片間的刻蝕厚度允許偏差應(yīng)為.3,